概述：高頻的基準信號源在近年的通信設(shè)備及網(wǎng)絡設(shè)備中必不可缺，而滿足顧客所使用的應用和要求規(guī)格的高頻輸 出的電子部件的品種眾多。本文主要從AT型石英晶體在具有良好的溫度特性并以基波直接起振的前提下實現(xiàn)高頻輸出的技術(shù)實現(xiàn)方式和方法。希望通過本次技術(shù)說 明，能讓顧客更多理解石英產(chǎn)品所具有的高穩(wěn)定性，在廣大顧客選擇各種應用程序的電子部件時助一臂之力。

【1】什么是反向臺形 AT 型石英晶體諧振器

英 語名稱中的“Mesa”這個詞起源于西班牙語，意思是“周圍是懸崖峭壁的臺形地貌”，通常把截面加工成臺形的半導體晶體管等稱為“臺形結(jié)構(gòu)”。反向臺形 AT 型石英晶體諧振器指把 AT 切割石英片的一部分（振蕩部分） 切割成凹陷的臺形的結(jié)構(gòu)（與臺形結(jié)構(gòu)相反）。反向臺形 AT 型石英晶體的結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。AT 型石英晶體諧振器的石英片越薄，所起振的頻率越高。但是，通常機械性研磨實現(xiàn)批量、穩(wěn)定生產(chǎn)的頻率限度為以基波起振 50MHz 左右（石英片厚度為約 30μm）。如果需要使用 AT型石英晶體獲得大于上述限度的頻率，經(jīng)常使用高次振動的振動模式（三次諧波）達到 50MHz 至 150MHz。因此，為了獲得高頻，就需要使用復雜的電路控制三次諧波等振動模式。愛普生應用進行光刻加工的 QMEMS 技術(shù)，生產(chǎn)出只將激勵部分加工成幾微米的反向臺結(jié)構(gòu)，既保證了芯片的強度又能以基波起振高頻，以此解決上述問題。

【2】愛普生公司的QMEMS技術(shù)如何實現(xiàn)AT晶振高頻輸出 ?

AT 型石英晶體的振蕩是典型的厚度變形振蕩，其理想的振蕩狀態(tài)是只在中央部分振蕩，而周圍部分不產(chǎn)生振蕩。對于 MHz 頻帶中較低頻帶的 AT 型石英晶體，大多使用倒角加工，使石英片的中央部分與周圍的厚度不同，從而獲得該效果。圖 2 表示原來的機械加工方式和使用了光刻加工的 QMEMS 方式的概略。由于機械加工利用石英芯片自身重量進行加工，所以石英芯片越小，加工難度越大，偏差也隨之增加并影響特性。與此相比，QMEMS 技術(shù)的光刻加工不受石英芯片大小的影響，可使石英片的形狀保持均一，即便是超小型的石英芯片，也能達到比機械加工更小的偏差，從而實現(xiàn)圖 3 所示的優(yōu)越的溫度特性。 

綜上所述，在高頻領(lǐng)域，也能夠使用 QMEMS 技術(shù)生產(chǎn)出圖 1 所示的反向臺結(jié)構(gòu)，既保持石英芯片的強度，又能以基波起振高頻，以此提供具有穩(wěn)定性能的產(chǎn)品。 

【3】使用反向臺形 AT 型石英晶體的產(chǎn)品及其特征 

 在愛普生的產(chǎn)品中，使用以 QMEMS 技術(shù)實現(xiàn)基波起振高頻的反向臺形 AT 型石英晶體的產(chǎn)品如下： 

①SPXO（Simple Packaged Crystal Oscillator，石英晶體振蕩器）中的 SG-210S*H、SG-770***/SG-771***；

②VCXO（Voltage Controlled Crystal Oscillator，壓控晶體振蕩器）中的 VG-45**系列。 

 VCXO 的頻率隨外部施加的控制電壓而變化，主要應用于基站和光傳送設(shè)備。近年，由于數(shù)據(jù)通信不斷趨向高速化及大容量化，市場對高頻與穩(wěn)定信號源的需求日益增加。因此，具有高頻、良好的溫度特性及優(yōu)越的噪

音特性的 AT型石英晶體已成為備受矚目的存在。 

 圖 4表示使用反向臺形 AT 型石英晶體的 VCXO 產(chǎn)品 VG-4513CB 與本公司原有產(chǎn)品（倍頻型）的失真成分比較。 

 本公司原有產(chǎn)品（以 122.88MHz 起振的 4 倍頻） VG-4513CB (以 491.52MHz 的基波起振)

為 獲得高頻而使用鎖相環(huán)或倍頻電路時（圖 4 左），其缺點是將產(chǎn)生信號以外的噪音（失真成分）導致抖動特性下降。使用反向臺形 AT 型石英晶體時（圖 4 右）能以基波起振高頻，因此不會產(chǎn)生類似以前產(chǎn)品的失真成分，實現(xiàn)低抖動特性。以基波直接起振高頻的優(yōu)勢大，我們認為它將成為不斷增加的基礎(chǔ)設(shè)備的不可或 缺的關(guān)鍵部件。