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晶體晶振在設(shè)計(jì)振蕩回路時(shí)注意事項(xiàng)

1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
　 驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2・Re

其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

晶體單元的等效電路 振蕩電路
晶體單元的等效電 振蕩電路

2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

晶體單元和振蕩器 負(fù)極電阻檢查
晶體單元和振蕩器 負(fù)極電阻檢查
  1. 將電阻(r)跟晶體單元按串聯(lián)方式連接到電路。
  2. 調(diào)整(r)，使得 振蕩發(fā)生（或停止）。
  3. 當(dāng)振蕩剛啟動(dòng)（或停止）時(shí)，如（2）所述，測(cè)量(r)。
  4. 推薦的(r)
    (r) > CI ×(5至 10)

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器 振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
頻率和負(fù)載電容特征圖 振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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